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7. Dezember 2002
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Die Elektronikkonzerne Sony und Toshiba haben mit Hilfe der 65-Nanometer-CMOS-Prozesstechnologie die weltweit ersten System-LSIs (Large Scale Integrated Circuits) mit integriertem DRAM entwickelt. Die Neuheit stellt einen entscheidenden Schritt in der Herstellung von Single-Chip-Systemen dar, die nur mehr ein Viertel der Grösse von herkömmlichen Systemen haben sollen, so Sony in einer Presseaussendung. Die System-on-Chip (SOC)-Technologie soll für eine Leistungssteigerung und erweiterte Funktionen sorgen, der integrierte High-Performance-Transistor verfügt nach Aussagen der Entwickler über die weltweit höchste Schaltgeschwindigkeit. Weiters sollen die Transistoren mit der weltweit kleinsten integrierten SRAM- bzw. DRAM-Zelle ausgerüstet sein.

Die Schaltgeschwindigkeit konnte laut Sony mit Hilfe einer neuen Transistor-Technologie auf Werte von 0,72 psec für NMOSFET und 1,41 psec für PMOSFET bei 0,85 V gebracht werden. Die integrierte SRAM-Zelle soll nur 0,6 Quadratmikrometer gross sein, die DRAM-Zelle kommt auf 0,11 Quadratmikrometer, ihre Kapazität liegt bei 256 Mbit.

Bereits im März 2001 hatten die beiden Unternehmen zusammen mit IBM die gemeinsame Entwicklung einer 90-nm und einer 65-nm-CMOS-Prozesstechnologie angekündigt, und so den Grundstein für die System-LSIs gelegt. Die Details zur neuen Technologie werden nach Aussagen von Sony im Rahmen des International Electron Device Meeting (IEDM) präsentiert, das vom 9. bis 11. Dezember in San Francisco abgehalten wird.
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