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20. Dezember 2001
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Intels Chipentwickler haben nach eigenen Angaben die Grundlagen für Prozessoren im Tera Hertz-Bereich gelegt. Dazu setzen die Wissenschaftler der Intel Labs auf ein vollständig neues Transistor-Design. Die Technologie soll Chips mit hoher Taktfrequenz bei geringerem Energieverbrauch und Hitzeentwicklung ermöglichen. Laut Intel sichert dieser Durchbruch im Chipdesign das Weiterbestehen von Moores´ Gesetz über 2007 hinaus. Der Halbleiterhersteller hat die Transistor-Technologie erstmals auf dem International Electron Device Meeting in Washington vorgestellt.
"Selbst wenn Transistoren abgeschaltet werden, verlieren sie Spannung wie ein undichter Schlauch Wasser. Dieser Verlust verursacht Hitzeentwicklung", erklärte Gerry Marcyk, Leiter der Entwicklungsteams für Tera-Hertz-Transistoren. "Intels Design stopft diese Löcher und löst damit zwei große Probleme in der Erzeugung von kleineren und schnelleren Chips - Energieverlust und Hitzeentwicklung."

Dazu werden vor allem drei Änderungen in der Konstruktion der "Depleted substrate Transistoren" eingesetzt. So verwendeten die Intel-Wissenschaftler ein "High K Dialectric", das 10.000 Mal effektiver sein soll, als das bisher verwendet Silizium-Dioxid, um den Energieverlust am "Transistor Gate" zu minimieren. Daneben verstärkte Intel die Elektroden auf dem Transistor und führte eine Isolierschicht auf dem Chip ein. Intel will nach eigenen Angaben ab 2005 Elemente dieser Technologie in seinen Prozessoren einsetzen
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