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Publikationsdatum
14. März 2001
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Entwicklern von Intel http://www.intel.com ist nach eigenen Angaben die Herstellung der ersten Fotomaske für Lithografie mit Extrem-Ultraviolett-Licht (EUV) nach Industriestandards gelungen. Solche Masken sind ein Schlüsselelement für die Erzeugung von noch kleineren und schnelleren Mikroprozessoren, beginnend mit einer Größe von 0,07 Micron. Extrem-Ultraviolett-Lithografie gilt als zukünftiger Standard in der Halbleiterindustrie. Die Struktur eines Chips wird durch ein fotochemisches Verfahren in das Silizium geätzt. http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20010308tech.htm

"Intel und seine Partner in der EUV-Limited Liability Corporation (EUV LLC) sehen EUV als den zukünftigen Industriestandard", erklärte Chiang Yang, Direktor von Intels Masks Operation. "Diese Masken dehnen unsere Lithografie-Technologie auf die nächsten vier Generationen über die gegenwärtige 0,13-Micron Prozess-Generation aus." Mit dieser Entwicklung ist kein Ende von Moores Gesetz abzusehen. Intel erwartet, durch den Einsatz von EUV-Technologie bis 2005/2006 die Taktraten von Prozessoren auf 10 GHz hinauftreiben zu können. Die ersten Beta-Tools für die Prozess-Technologie werden 2003 verfügbar sein, bevor die Technologie ab 2005 in die Serienproduktion integriert wird.

In bisherigen Produktionsprozess muss das Licht die Masken passieren, bevor es auf das Silizium trifft. Da EUV von den meisten Materialien absorbiert wird, werden die Masken dazu verwendet, das Licht auf den späteren Chip zu projizieren. Die Masken werden dazu aus mehreren Lagen extrem dünnem Molybdän und Silizium auf einem Trägermaterial aufgebaut. Diese Beschichtung wurde von der Entwicklungsgemeinschaft EUV LLC entwickelt. Die Spiegeln sind auf die Wellenlänge von EUV von 13 Nanometern abgestimmt. Die EUV LLC wird die Masken von Intel auf ihrem Teststand verwenden.
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